专利名称：用于形成在存储器单元阵列上方的计算组件的设备专利类型：实用新型专利发明人：J·T·扎沃德恩申请号：CN201721473970.9申请日：20171107公开号：CN207637499U公开日：20180720
摘要：本实用新型包含用于形成在存储器单元阵列上方的计算组件的设备。实例设备包括基底衬底材料及形成在所述基底衬底材料上方的存储器单元阵列。所述阵列可包含包括第一半导体材料的多个存取晶体管。计算组件可形成在所述阵列上方并耦合到所述阵列。所述计算组件可包含包括第二半导体材料的多个计算晶体管。所述第二半导体材料相比于所述第一半导体材料可具有较高掺杂离子浓度。
申请人：美光科技公司
地址：美国爱达荷州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：王龙
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