专利名称：GaAs基高功率半导体激光器腔面的氮等离子体清
洗方法
专利类型：发明专利
发明人：郭林炀,马晓辉,王丽霞,陶涛,李丹,郭胜君,陈琳,许晓
东
申请号：CN202011435270.7申请日：20201210公开号：CN112838470A公开日：20210525
摘要：本发明公开了一种GaAs基高功率半导体激光器腔面等离子体清洗方法，采用氮等离子体作为清洗源，对GaAs基高功率半导体激光器腔面进行干法清洗，并原位蒸镀SiO薄膜，用以达到降低表面态，改善发光性能的目的，同时，最大程度去除腔面氧化层又不带来新的损伤。
申请人：扬州工业职业技术学院
地址：225127 江苏省扬州市华扬西路199号扬子津科教园
国籍：CN
代理机构：南京理工大学专利中心
代理人：邹伟红
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