MMBT3906 2A三极管 SOT23 0.2A 40V PNP贴片三极管

󰀃

特征 / Features 高hFE，低VCE(sat)。󰀃

MMBT3906

描述 / Descriptions

SOT-23塑封封装PNP󰀃半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.

High DC Current Gain, Low Collector to Emitter Saturation Voltage. 󰀃

用途 / Applications 用于普通放大及开关。󰀃

General purpose amplifier and switching. 󰀃

内部等效电路 / Equivalent Circuit

引脚排列 / Pinning

3

1

2

PIN 2：Emitter

PIN 3：Collector

PIN 1：Base

放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking hFE Range

100～300

Marking 2A 1 / 7

Sxinen

MMBT3906

符号 Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg

数值 单位 Rating Unit

-40 V -40 V -5.0 V -200 mA 300 mW 150 -55～150

℃ ℃

极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)

参数

Parameter

Collector to Base Voltage Collector to Emitter Voltage Emitter to Base Voltage Collector Current

Collector Power Dissipation Junction Temperature

Storage Temperature Range

电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)

参数

Parameter

Collector to Base Breakdown Voltage Collector to Emitter Breakdown Voltage Emitter to Base Breakdown Voltage Collector Cut-Off Current Emitter Cut-Off Current 符号 SymbolVCBO VCEO VEBO ICBO IEBO hFE(1) hFE(2)

DC Current Gain

hFE(3) hFE(4) hFE(5)

Collector-Emitter Saturation voltage Base-Emitter Saturation Voltage Transition Frequency VCE(sat) (2)VBE(sat) (1)VBE(sat) (2)

fT

测试条件 Test Conditions IC=-10μA IE=0 IC=-1.0mA IB=0 IE=-10μA

IC=0

最小值 典型值 最大值单位Min Typ MaxUnit-40 V -40 V -5.0 V -0.05 -0.05100 300

μA μA

VCB=-30V IE=0 VEB=-3.0V IC=0 VCE=-1.0V IC=-10mA VCE=-1.0V IC=-100mAVCE=-1.0V IC=-50mA VCE= -1.0V IC=-1.0mAVCE=-1.0V IC=-0.1mA

IB=-1.0mA IB=-5.0mA IB=-1.0mA IB=-5.0mA

IC=-50mA IC=-10mA IC=-50mA

30 60 80 60 -0.25

V VCE(sat) (1) IC=-10mA

-0.4 V -0.65 -0.85 -0.95

V V VCE=-20V IC=-10mA

f=100MHz

250 MHz

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Sxinen

参数 Parameter

Output Capacitance Storage Time Fall Time Delay Time Rise Time Input Capacitance

MMBT3906

符号 SymbolCob

tstg tf td tr Cib

测试条件 最小值 典型值 最大值单位Test Conditions Min Typ MaxUnitVCB=-5.0V = f1.0MHz 4.5 pF VCC=-3.0V IC=-10mA

225 ns IB1=-IB2=-1.0mA

VCC=-3.0V IC=-10mA

75 ns IB1=-IB2=-1.0mA

VCC=-3.0V VBE=-0.5V

35 ns IC=-10mA IB1=-1.0mAVCC=-3.0V VBE=-0.5V

35 ns IC=-10mA IB1=-1.0mA

= f1.0MHz 10 pF VEB=-0.5V

电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)

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Sxinen

电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve

MMBT3906

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Sxinen

外形尺寸图 / Package Dimensions

MMBT3906

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Sxinen

MMBT3906

印章说明 / Marking Instructions

2A

说明：󰀃

2A：󰀃󰀃为型号代码󰀃

Note:

2A：

Product Type Code

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Sxinen

回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free)

MMBT3906

说明：

Note:

1、预热温度25～150℃，时间60～90sec; 1.Preheating:25~150℃, Time:60~90sec. 2、峰值温度245±5℃，时间持续为5±0.5sec; 2.Peak Temp.:245±5℃, Duration:5±0.5sec. 3、焊接制程冷却速度为2～10℃/sec. 3. Cooling Speed: 2~10℃/sec.

耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions

温度：260±5℃

包装规格 / Packaging SPEC. 卷盘包装 / REEL

Package Type 封装形式

Units包装数量 Dimension 包装尺寸 (unit：mm)

Units/Reel

只/卷盘

Reels/Inner Box 卷盘/盒

Units/Inner Box

只/盒

Inner Boxes/Outer Box

盒/箱

Units/Outer Box

只/箱

3

时间：10±1 sec. Temp.:260±5℃ Time:10±1 sec

Reel Inner Box盒 Outer Box箱

SOT-23 3,000 10 30,000 6 180,000 7〞×8 180×120×180 390×385×205

使用说明 / Notices

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