专利名称：蚀刻方法及蚀刻装置专利类型：发明专利发明人：齐藤进,清水昭贵申请号：CN200510102880.4申请日：20050914公开号：CN1750237A公开日：20060322
摘要：本发明提供一种在蚀刻处理时，能够将硬质掩模层的膜厚控制在一定厚度的蚀刻方法。通过使用包含例如四氟化碳(CF)和氩气(Ar)的气体而作为蚀刻气体的等离子体蚀刻，一边监视氮化硅薄膜102的膜厚，一边进行蚀刻处理，以氮化硅薄膜102的膜厚达到规定膜厚时作为终点而结束自然氧化膜103的蚀刻处理。接着，将氮化硅薄膜102作为掩模，使用包含例如氯气(Cl)、溴化氢(HBr)与氩气(Ar)的气体而作为蚀刻气体，一边监视槽111的深度，一边对硅基板101进行等离子体蚀刻，以槽111的深度达到规定的数值时作为终点。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本国东京都
国籍：JP
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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