专利名称:蚀刻方法及蚀刻装置专利类型:发明专利发明人:齐藤进,清水昭贵申请号:CN200510102880.4申请日:20050914公开号:CN1750237A公开日:20060322
摘要:本发明提供一种在蚀刻处理时,能够将硬质掩模层的膜厚控制在一定厚度的蚀刻方法。通过使用包含例如四氟化碳(CF)和氩气(Ar)的气体而作为蚀刻气体的等离子体蚀刻,一边监视氮化硅薄膜102的膜厚,一边进行蚀刻处理,以氮化硅薄膜102的膜厚达到规定膜厚时作为终点而结束自然氧化膜103的蚀刻处理。接着,将氮化硅薄膜102作为掩模,使用包含例如氯气(Cl)、溴化氢(HBr)与氩气(Ar)的气体而作为蚀刻气体,一边监视槽111的深度,一边对硅基板101进行等离子体蚀刻,以槽111的深度达到规定的数值时作为终点。
申请人:东京毅力科创株式会社
地址:日本国东京都
国籍:JP
代理机构:北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人:龙淳
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