专利名称：一种闭孔的介孔氧化硅及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：梁国正,单伟,顾嫒娟,袁莉申请号：CN201210106539.6申请日：20120412公开号：CN102631884A公开日：20120815
摘要：本发明公开了一种闭孔的介孔氧化硅及其制备方法。利用多氯硅烷对干燥的介孔氧化硅进行处理，制备表面含氯基团的介孔氧化硅，再将其与多面体倍半硅氧烷和多氯硅烷反应，得到粗产物，经洗涤、干燥后，在230～300℃的温度条件下煅烧，得到一种闭孔的介孔氧化硅，它由多面体倍半硅氧烷在介孔氧化硅的外表面及孔口形成包覆层，通过Si-O键或Si-N键相互连接。它不仅保留了介孔氧化硅的内部孔道，且通过多面体倍半硅氧烷结构将介孔氧化硅闭孔，获得更大的比表面积和更多的空隙，有利于降低材料介电常数和提高介孔氧化硅吸附性能，从而保证了介孔氧化硅最大程度发挥制备低介电常数材料的优势。
申请人：苏州大学
地址：215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：陶海锋
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