专利名称：利用应力记忆技术提高NFET窄沟道效应的方法专利类型：发明专利
发明人：林仰魁,谢欣云,张步新,陈志豪申请号：CN201010530835.X申请日：20101103公开号：CN102468160A公开日：20120523
摘要：一种利用应力记忆技术提高NFET窄沟道效应(Narrow Width Effect)的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成包括NFET结构的半导体器件；在所述半导体器件上淀积形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上淀积形成应力层；对形成有所述刻蚀停止层和应力层的半导体器件进行时效处理；刻蚀去除应力层；进行高温退火步骤，以激活所述半导体器件的源、漏区掺杂；去除刻蚀停止层。本发明在包括NFET结构的半导体器件上形成应力层后，对应力层进行时效处理，然后在高温退火过程之前去除所述应力层，从而防止在高温退火过程中，应力层对NFET中窄沟道区域的过强的应力作用，从而改进NFET窄沟道效应。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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