专利名称：一种化学机械抛光方法专利类型：发明专利
发明人：宋凯,姚颖,荆建芬,杨俊雅,张建,蔡鑫元,杜玲曦,潘依
君,王雨春
申请号：CN201611231249.9申请日：20161228公开号：CN108257863A公开日：20180706
摘要：本发明涉及一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：在第一抛光盘上抛光金属铜；步骤B：在第二抛光盘上再次抛光剩余的铜，并停在钽阻挡层上，实现平坦化；步骤C：在第三抛光盘上抛光阻挡层和介电层，并停在氮化硅层上。其中，步骤A和步骤B中使用铜抛光液，步骤C中使用阻挡层抛光液。且，所述阻挡层抛光液中包含研磨颗粒、氨基硅烷试剂和水。本发明使用高选择比的阻挡层抛光液，能很好的停止在氮化硅层上，很好的控制芯片表面形貌，抑制金属腐蚀和表面缺陷；在CMP过程中可以严格控制基材表面污染物，且杜绝金属腐蚀，具有好的表面形貌和抛光均一性。
申请人：安集微电子科技(上海)股份有限公司
地址：201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9幢底层
国籍：CN
代理机构：北京大成律师事务所
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