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一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管[发明专利]

来源:小奈知识网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶

体管

专利类型:发明专利发明人:宋利旺

申请号:CN201710592932.3申请日:20170719公开号:CN107464836A公开日:20171212

摘要:本发明提供一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管,通过形成第一光阻图案,该第一光阻图案包括第一遮挡部以及第二遮挡部,并以该第一光阻图案作为罩幕对栅极金属层进行蚀刻,从而使得栅极图形与导电沟道的沟道区尺寸吻合,提高栅极对导电沟道的控制力,进而提高器件的性能。

申请人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

地址:518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号

国籍:CN

代理机构:深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)

代理人:黄威

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