R-T-B系烧结磁体的制造方法[发明专利]

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专利名称：R-T-B系烧结磁体的制造方法专利类型：发明专利

发明人：斋藤康太,石井伦太郎,国吉太申请号：CN201910216088.3申请日：20190320公开号：CN110299238A公开日：20191001

摘要：本发明制造一种降低RH的含量且具有高H/H的R‑T‑B系烧结磁体。一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其为具有规定组成的R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其包括：准备粒径D为3.0μm～4.5μm的合金粉末的工序；将所述合金粉末分级成粒径相对较小的微粉和粒径相对较大的烧结用粉末的分级工序，该分级工序中，相对于所述合金粉末100质量％，将粒径D为1.75μm～2.5μm的微粉去除5质量％～30质量％，由此制作粒径D为3.2μm～5.2μm且比所述合金粉末的D大的烧结用粉末；将所述烧结用粉末进行成形而得到成形体的成形工序；将所述成形体进行烧结而得到烧结体的烧结工序；以及对所述烧结体实施热处理的热处理工序。

申请人：日立金属株式会社

地址：日本国东京都

国籍：JP

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

代理人：任岩

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