通过退火及相关方法减少半导体层和半导体器件的缺陷

来源：小奈知识网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201911040783.5 （22）申请日 2019.10.30

（71）申请人半导体元件工业有限责任公司

地址美国亚利桑那

（10）申请公布号 CN111211053A

（43）申请公布日 2020.05.29

（72）发明人 A·萨利

（74）专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人张小稳

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

通过退火及相关方法减少半导体层和半导体器件的缺陷

（57）摘要

本发明题为“通过退火及相关方法减少半

导体层和半导体器件的缺陷”。本发明涉及系统和方法。所公开实施方案的系统和方法包括减少半导体层中的缺陷。可以通过在衬底上形成半导体层、从半导体层的下侧移除衬底的至少一部分以及对半导体层进行退火以减少该层中的缺陷来减少缺陷。退火包括在该层处聚焦能量。

法律状态

法律状态公告日

2020-05-29

公开

法律状态信息

公开

法律状态

权利要求说明书

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说明书

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