功率用半导体装置[发明专利]

来源：小奈知识网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：功率用半导体装置专利类型：发明专利

发明人：古川彰彦,折田昭一,村冈宏记,楢崎敦司,川上刚史,村

上裕二

申请号：CN201480076678.6申请日：20141029公开号：CN1060629A公开日：20161026

摘要：功率用半导体装置包括：第一导电类型的第一基极区域；第二导电类型的第二基极区域；槽部，是以从第二基极区域的表面到达第一基极区域的方式设置的相互平行的至少3个槽部，第一槽部和第三槽部被配置成夹着第二槽部；绝缘膜，覆盖槽部的内壁；导电性的沟槽栅极，填充于绝缘膜上；第一导电类型的发射极区域，在第一槽部与第二槽部之间的第二基极区域中，以与第一槽部相接的方式设置，与发射极电极连接；以及第二导电类型的集电极区域，设置于第一基极区域，埋入于第一、第三槽部的沟槽栅极与栅电极连接，埋入于第二槽部的沟槽栅极与发射极电极连接。

申请人：三菱电机株式会社

地址：日本东京

国籍：JP

代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：金春实

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