一体化光刻方法及光刻系统

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN2019104921.6 （22）申请日 2019.06.06 （71）申请人 北京理工大学

地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

（10）申请公布号 CN110244523A

（43）申请公布日 2019.09.17

（72）发明人 李艳秋;孙义钰;李铁;韦鹏志 （74）专利代理机构 北京理工大学专利中心

代理人 李微微

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

一体化光刻方法及光刻系统

（57）摘要

本发明公开了一种一体化光刻方法及光刻

系统，将二维成像过程中的所有二维图形转换为一维向量；将二维成像过程中入射光波与脉冲响应的二维卷积转换为矩阵乘法；由此，将点扩散函数转换为与光源和掩模都无关的矩阵，因此可通过预计算提前得到，可以加速优化过程中计算成像的过程；并且新的点扩散函数的每一行与分布于图形的相乘可以得到对应像面每一像素点的振幅及空间像值，在目标图形的评估点选取时直

接对新的点扩散函数的某些行进行选取，因此向量化表征后的成像模型对于评估点的选取十分友好；本发明建立在矢量成像模型基础上，考虑了光的偏振特性，能够精确描述超大NA情形下光的传播、聚焦和成像过程。

法律状态

法律状态公告日

2019-09-17 2019-09-17 2019-09-17 2019-10-15 2019-10-15 2020-07-10

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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