专利名称：复合烧结体、半导体制造装置部件以及复合烧结体
的制造方法
专利类型：发明专利
发明人：阿闭恭平,西村升,永井明日美,胜田祐司申请号：CN201980018676.4申请日：20190308公开号：CN111902383A公开日：20201106
摘要：复合烧结体具备AlO和MgAlO。该复合烧结体中的AlO的含有率为95.5重量％以上。该复合烧结体中的AlO的平均烧结粒径为2μm以上且4μm以下。该复合烧结体中的AlO的烧结粒径分布的标准偏差为0.35以下。该复合烧结体的堆积密度为3.94g/cm以上且3.98g/cm以下。该复合烧结体中的MgAlO与AlO的晶相量之比为0.003以上且0.01以下。由此，能够提供具有高耐电压及高体积电阻率的复合烧结体。
申请人：日本碍子株式会社
地址：日本国爱知县
国籍：JP
代理机构：北京旭知行专利代理事务所(普通合伙)
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