专利名称：具有可见光催化活性的碳掺杂半导体氧化物及其制
备方法
专利类型：发明专利发明人：肖奇,姚池
申请号：CN201110332997.7申请日：20111028公开号：CN102513090A公开日：20120627
摘要：本发明公开了具有可见光催化活性的碳掺杂半导体氧化物及其制备方法。将金属盐、尿素和碳源溶解于蒸馏水中搅拌得到前躯体溶液，金属离子浓度控制为0.05mol/L～0.5mol/L，尿素与金属离子的摩尔比控制为2～20；置于高压反应釜中密封反应；冷却，去离子水洗涤，真空干燥；然后焙烧，制得碳掺杂半导体氧化物。在所获得的ZnO:C，SnO:C和ZrO:C中，碳元素的掺入使碳掺杂半导体氧化物材料(ZnO:C，SnO:C和ZrO:C)在可见光范围400～700nm有较强的光吸收，可广泛地用于光催化降解空气和水中的有机污染物。
申请人：中南大学
地址：410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
国籍：CN
代理机构：长沙市融智专利事务所
代理人：袁靖
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