专利名称：功率半导体器件及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：林永发,张家豪,石逸群申请号：CN201210352599.6申请日：20120920公开号：CN103545369A公开日：20140129
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件，包含有一具有一第一导电型的基材；一半导体层，设在所述基材上，所述半导体层具有第一导电型；多个交替排列的第一导电型掺杂沟槽及第二导电型掺杂沟槽；一第一导电型扩散区，位于各所述第一导电型掺杂沟槽周围的所述半导体层中；以及一第二导电型扩散区，位于各所述第二导电型掺杂沟槽周围的所述半导体层中，其中所述第一导电型扩散区及所述第二导电型扩散区之间构成一PN结，且PN结与所述第一导电型掺杂沟槽的距离等于所述PN结与所述第二导电型掺杂沟槽的距离。
申请人：茂达电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人：江耀纯
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容