专利名称：一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法专利类型：发明专利发明人：崔文荣
申请号：CN201910949028.2申请日：20191008公开号：CN110690104A公开日：20200114
摘要：本发明公开了一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,包括以下步骤：A、将蚀刻后的硅片进行固定；B、采用毛刷将蚀刻后的硅片表面进行清刷；C、使用超声槽振荡去除硅片上残留的氧化膜；D、对清理氧化膜的硅片进行清洗；E、放置到硅片片架的内部，本发明先使用尼龙刷子去除沟槽边缘的氧化膜，再使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜，有效降低了硅片时刻沟槽边缘氧化膜清理工艺的成本。
申请人：江苏晟驰微电子有限公司
地址：226600 江苏省南通市海安经济技术开发区康华路55号
国籍：CN
代理机构：北京天盾知识产权代理有限公司
代理人：张彩珍
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