专利名称：用于等离子体溅射的与旋转磁控管结合的磁体阵列专利类型：发明专利发明人：P·丁,R·陶,Z·徐申请号：CN02822495.7申请日：20021107公开号：CN1606795A公开日：20050413
摘要：辅助磁体的阵列(60)沿磁控溅射反应器的侧壁(14)一边设置，该边从靶(16)的一边对着晶片。该磁控管优选为一个小而强的磁控管，其具有第一磁极性的强度较高的外磁体(42)，外磁体围绕具有第二磁极性的强度较弱的磁体，且该磁控管绕室中心轴(38)旋转。该辅助磁体优选具有第一磁极性以吸引不平衡的磁场分量投向晶片。该辅助磁体可为永磁体(62)或电磁体(90)。
申请人：应用材料有限公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：赵蓉民
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