专利名称：半导体压阻式传感器及其操作方法专利类型：发明专利
发明人：谢协伸,张恒中,李政璋,梁朝睿,陈煌坤,邢泰刚申请号：CN200610005063.1申请日：20060117公开号：CN101005097A公开日：20070725
摘要：一种半导体压阻式传感器与一电路电性连接，半导体压阻式传感器包括一半导体基材、至少一压阻组件以及一导电材料层。半导体基材包括一悬膜与一基材，基材邻设于悬膜周缘；压阻组件设置于悬膜内，并与电路电性连接；导电材料层与悬膜电性连接。
申请人：台达电子工业股份有限公司
地址：中国台湾桃园县
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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