期末试卷 《电子技术基础》A 答案
一.选择题 (2分*10=20分)
1.A 2. D 3. C 4. C 5. A 6. C 7. A 8. B 9. C 10. C 二.填空题 (1分*10=10分)
1. 单向导电性
2. 将集电极电流的变化转换成电压的变化。 3. 电压、串联
4.正反馈、放大电路、选频网络、稳幅环节 5. 桥式整流 6.
M(0,1,2,3,7)
三.简答题(7+6分*3=25分)
1. 反馈,负反馈,正反馈,概念见教材。
2.电压串联、∞、11、11、1、14、14、1 3. 因为三极管处于放大状态,所以
NPN型:集电极电位最高,发射极电位最低,UBE>0; PNP型:发射极电位最高,集电极电位最低,UBE>0。
硅管:基极电位与发射极电位大约相差0.6V~0.7V;锗管:基极电位与发射极电位大约相差0.2V~0.3V.
所以:晶体管I:NPN型,硅管,1——B、2——E、3——C;
晶体管II:PNP型,锗管,1——C、2——B、3——E。
4.
四.计算题(10*3=30分) 1. 4. (1) UBQ FBDBDABC
VCCRB2126.2V3.51V UCEUCCICRC7VRB1RB26.2153.510.2mA1.66mA 2 ICQIEQUBQ0.2VREIBQICQ/16.6A
审核人: 出题教师:杜娜 日期:2011-12-21
UCEQ[VCCIC(RCRE)]〔121.66(23)〕V3.7V
(2)rbe(200101261001.5)1.78k Au84.3 1.661.78 RiRB1//RB2//rbe1.27k Ro=3k
计算的最后结果数字: ICQ 1.66mA,IBQ16.6A,UCEQ -3.7V
Au84.3,Ri=1.27k,Ro=3 k
2. 解:Z(A、B、C)=AB+=ABC+ABC+ABC+ABC = m 1+ m 3+ m 6+ m 7 =m 1m 3m 6m 7
3. 解:
驱动方程: J1=K1=1
J2=K2=Q1
AC=AB(C+C)+AC(B+B)
A B C “1” A2 A1 A0 Y0 Y1 Y2 74LS138 Y3 Y4 STA Y5 STB Y6 STC Y7 & Z
状态方程: Q1n1J1Q1nK1Q1nQ1n
Q2n1J2Q2nK2Q2nQ1nQ2nQ1nQ2nQ1nQ2n
状态转换图
Q2Q1 00 11 01 10
五综合题(15分)
解:由题意列出真值表:
审核人: 出题教师:杜娜 日期:2011-12-21
A 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1
卡诺图:
Y B 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 C 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 D 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 Y 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 C
1 0 0 0 0 1 0 0 × × × × 0 0 × ×
逻辑表达式为:YABCDBCDABCDBCD 逻辑图:
审核人: 出题教师:杜娜 日期:2011-12-21
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