专利名称：能够控制锭界面形状的单晶生长系统和方法专利类型：发明专利发明人：方仁植
申请号：CN201580071803.9申请日：20150820公开号：CN107109687A公开日：20170829
摘要：本发明涉及一种在用丘克拉斯基方法生长单晶锭时控制生长界面形状的方法，该控制生长界面形状的方法包括：在将单晶生长过程的控制条件设定为使锭的界面成为目标形状之后开始生长单晶锭；通过设置在单晶锭的上部的负荷传感器测量在预定时间内生长的锭的重量来获得测量值；通过单晶锭的直径以及在预定时间内生长的单晶锭的高度来获得单晶锭重量的理论值，其中，单晶锭的直径通过设置在加工腔室外部的直径测量照相机在预定时间内测量；通过获得所述测量值和所述理论值之间的差异来预测生长中的单晶锭的生长界面形状；以及，通过比较单晶锭的预测界面形状和单晶锭的目标界面形状来改变在单晶锭生长期间的工艺条件。因此，由于在单晶锭的生长过程期间可以预测生长中的锭的界面形状，所以通过控制工艺条件，硅锭可以生长为目标界面形状。
申请人：LG矽得荣株式会社
地址：韩国庆尚北道
国籍：KR
代理机构：北京派特恩知识产权代理有限公司
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