专利名称：银石墨烯包覆二氧化硅复合上转换纳米晶及其制备
方法
专利类型：发明专利
发明人：尹东光,曹贤彰,张璐,唐敬秀,黄文峰申请号：CN201510206950.4申请日：20150428公开号：CN104946236A公开日：20150930
摘要：本发明涉及一种银石墨烯包覆二氧化硅复合上转换纳米晶及其制备方法。本发明得到的银/石墨烯SiO-NaLuF:Yb,Gd,Er复合荧光纳米粒子，该纳米晶的结构为以银负载在石墨烯上为内核，再用二氧化硅包覆，在二氧化硅表面连接上转换纳米晶。本发明通过贵金属银的金属增强荧光效应提高上转换纳米晶的发光强度。同时，将银负载在石墨烯上，能很好防止银颗粒团聚，被分散固定在石墨烯上的银纳米粒子由于距离近发生场效应叠加，彼此的极性和表面等离子共振相互增强；同时由于石墨烯是一种优良的电子受体和传导体，银纳米粒子的电荷向石墨烯转移后其电子密度降低，有效介电常数增加，使纳米银的表面等离子共振增强，导致纳米银的金属增强荧光效应更强。该方法使稀土上转换纳米晶的上转换发光强度提高约50倍。
申请人：上海大学
地址：200444 上海市宝山区上大路99号
国籍：CN
代理机构：上海上大专利事务所(普通合伙)
代理人：陆聪明
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