专利名称：降低位错缺陷的GaN基LED芯片外延生长方法专利类型：发明专利
发明人：朱学亮,吴德华,曲爽,吴亭,李树强,徐现刚,任忠祥申请号：CN200910019374.7申请日：20091023公开号：CN101702418A公开日：20100505
摘要：本发明提供了一种降低位错缺陷的GaN基LED芯片外延生长方法。包括以下步骤：(1)首先在衬底上生长低温GaN缓冲层或AlxGal-xN缓冲层，再在缓冲层上生长高温非掺杂GaN层；(2)把反应室内的生长温度调到600℃～1100℃，然后在反应室内单独通入CPMg和NH，CPMg和NH发生反应，在步骤(1)制作的高温非掺杂GaN层上形成MgN，通过通入CPMg的时间控制这些孔洞的大小和密度；(3)然后按常规方法继续生长GaN基LED芯片的其它外延材料。本发明采用MgN原位制作纳米掩模图形，降低了GaN基材料中的位错缺陷，与SiN掩模相比，制作MgN掩模时对GaN材料没有腐蚀作用，这样在没有掩模处的GaN不会引入更多的缺陷，能获得更高质量的GaN材料。
申请人：山东华光光电子有限公司
地址：250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号
国籍：CN
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