锗硅HBT晶体管及其版图结构和其制造方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201210460981.9 （22）申请日 2012.11.15

（71）申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

（10）申请公布号 CN103811540A

（43）申请公布日 2014.05.21

（72）发明人 苏庆;张强;金锋;苗彬彬

（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司

代理人 丁纪铁

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

锗硅HBT晶体管及其版图结构和其制造方法

（57）摘要

本发明公开了一种锗硅HBT晶体管，包

括：位于硅衬底上的隔离区，位于隔离区之间的N型注入区，位于隔离区下侧N型注入区两侧的N型重掺杂区，位于隔离区底侧与N型注入区和N型重掺杂区相接的P型浅埋层，位于隔离区和N型注入区上方的锗硅区，位于锗硅区上方的氧化隔离物，位于氧化隔离物和锗硅区上方的多晶硅层，侧墙位于锗硅区和多晶硅层的两侧，N型重掺杂区通过深通孔引出形成集电极，锗硅区、多

晶硅层通过接触孔引出形成发射机、基极；其中，多晶硅层的面积小于锗硅区的面积。本发明还公开了所述锗硅HBT晶体管的版图结构和制造方法。本发明的锗硅HBT晶体管在不改变集电区的厚度和掺杂浓度前提下，能提高器件的击穿电压。

法律状态

法律状态公告日2014-05-21 2014-06-18 2016-08-10

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

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权利要求说明书

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说明书

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