专利名称：一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法专利类型：发明专利
发明人：张亚光,杜宁,张辉,杨德仁申请号：CN201410750725.2申请日：20141209公开号：CN104495765A公开日：20150408
摘要：本发明公开了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，以多孔硅为原料，在氮气气氛下，依次经高温煅烧、研磨处理，得到所述的高α相氮化硅。本发明提供了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，高效制备得到了高α相含量、粒径分布均匀的氮化硅，本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，成本低廉，适合于大规模的工业化生产。
申请人：浙江大学
地址：310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
国籍：CN
代理机构：杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人：胡红娟
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