专利名称：功率半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：S·林德,H·R·策勒申请号：CN01812377.5申请日：20010704公开号：CN1440571A公开日：20030903
摘要：在一种用于由晶片制造具有阴极和阳极的半导体器件的方法中，首先用停止区(2)配备晶片，随即在阴极侧处理和随后才在其厚度上减小该晶片，使得从停止区(2)仅还剩下尾部截止区(21)。此时，如下掺杂停止区(2)和减小到尾部截止区(21)，使得实现制造方法的、并因而还有减薄半导体器件的定量优化。在此定量优化中，考虑不同的参数及其相互关系，尤其是尾部截止区(21)的掺杂物－面积密度、尾部截止区的阳极侧表面上的掺杂物密度、基区的掺杂物密度、尾部截止区掺杂分布的特征下降长度或梯度、以及由晶片所产生的基区的从阳极到阴极的厚度。
申请人：ABB瑞士有限公司
地址：瑞士巴登
国籍：CH
代理机构：中国专利代理()有限公司
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