专利名称：一种功率半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：周锌,王睿迪,李治璇,王正康,乔明,李肇基,张波申请号：CN201910351121.3申请日：20190428公开号：CN110010692A公开日：20190712
摘要：本发明提出一种具有结势垒区和短横向沟道的功率半导体器件及其制造方法，通过体区和隔离栅，在较低漏极电压时快速耗尽结势垒区，形成耗尽层，阻断栅漏之间的电容耦合，同时利用横向沟道和纵向结势垒区域，降低了栅沟道边界PN结在关态时的电场强度，抑制了穿通的发生，可以实现更小的栅极长度，降低了米勒电容，降低了栅开关带来的动态损耗，优化了器件的开关性能，此外，槽形隔离栅辅助耗尽漂移区，提高漂移区掺杂浓度，实现了较低的导通电阻。
申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
代理机构：成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
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