专利名称：闪存器件及其制作方法专利类型：发明专利发明人：薛广杰,曹开玮,周俊申请号：CN201911089015.9申请日：20191108公开号：CN110783339A公开日：20200211
摘要：本发明提供了一种闪存器件及其制作方法，刻蚀存储区内的浮栅材料层在所述浮栅材料层内形成第一凹槽，平坦化所述浮栅材料层以在所述存储区内形成浮栅之后，使得外围区保留有部分厚度的所述浮栅材料层，以剩余的所述浮栅材料层为掩膜刻蚀所述浮栅之间的隔离结构，能够节省图形化工艺，避免了由于光刻胶图形化造成的缺陷，并且降低了生产成本。
申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司
地址：430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹廷廷
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