专利名称：锑基CMOS器件专利类型：发明专利
发明人：S·达塔,J·卡瓦列罗斯,M·多齐,R·周,M·胡代特申请号：CN200780042525.X申请日：20071029公开号：CN101536167A公开日：20090916
摘要：一种可以具有NMOS和PMOS部分的III－V族材料CMOS器件，所述NMOS部分和PMOS部分的各层中的若干层基本相同。这使得可以容易地制造所述CMOS器件，并防止所述NMOS和PMOS部分之间的热膨胀系数失配。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚
国籍：US
代理机构：永新专利商标代理有限公司
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